由于封装质量不合格，造成芯片不能正常工作，芯动技术公司向无锡市中级人民法院提起诉讼，向公司索偿万美元(约人民币1.7亿元)。
要知道，长电科技刚刚发布的一季报显示，公司盈利才1.34亿元……
公司被索赔1.7亿元
4月30日晚间，长电科技公告称，注册于萨摩亚的芯动技术公司(以下简称“芯动公司”)就其与长电科技签署的《委托芯片封装设计及加工合同》的合同履行争议事项向无锡市中级人民法院提起诉讼。
芯动技术公司（INNOSILICONTECHNOLOGYLTD）（以下简称“芯动公司”）注册于萨摩亚就其与江苏长电科技股份有限公司（以下简称“公司”）签署的《委托芯片封装设计及加工合同》的合同履行争议事项向无锡市中级人民法院提起诉讼，公司于年4月30日收悉《应诉通知书》（案件编号:（）苏02民初号）。芯动表示，芯动公司与公司在年3月签订《委托芯片封装设计及加工合同》，公司向其提供芯片封装服务，由于封装质量不合格，造成芯片不能正常工作，给其造成来料成本损失达.万美元，被公司暂扣的芯片及库存晶圆损失达.万美元，损失共计万美元。芯动公司据此向公司索偿。芯动公司自年8月起委托公司控股子公司STATSCHIPPACPTE.LTD.（以下简称“星科金朋”）为芯动公司的比特币矿机提供芯片封装服务，至年3月底，芯动公司应付星科金朋封装测试服务费约万美元，至年6月，应付服务费增加至万美元。后芯动公司以星科金朋封装测试的芯片质量不合格为由拒绝支付全部服务费万美元。对此，公司及控股子公司星科金朋将依法维护自身合法权益。芯动公司请求法院判令被告向原告赔偿因封装芯片质量不合格造成的损失万美元，按汇率中间价折合人民币.5万元；判令被告承担本案所有诉讼费用，包括但不限于案件受理费等。从根据INNOSILICONTECHNOLOGYLTD搜索的资料来看，芯动科技有限公司（Innosilicon）是世界先进、国内领军的高端混合电路芯片设计公司，中国高速芯片技术市场领导企业，在全球范围内拥有核心竞争优势。
芯动科技持续重兵投入国际最先进的工艺，走在数字革命时代前列，在高速接口，移动多媒体、加密电子货币、汽车电子、高安全物联网芯片等一系列领域，成为国内集成电路核心技术创新的一面旗帜，多项技术填补了国内空白。
现有市场上数以十亿计的高端SOC芯片，如核心网络交换机芯片、高清监控摄像头芯片、汽车高清图像处理芯片、手机芯片、平板电脑和高清机顶盒芯片等，背后都有芯动的技术。
长电指芯动赖账长电方面则称，年3月末芯动本应该付测试费万美元，6月应付万美元，后芯动以质量不合格拒付。对此长电科技也将依法维护权益。年年初比特币价格高达1.7万美金，但在3月跌至美元，6月更跌至美金。因此长电科技似指芯动因行情暴跌而拒绝付费。
封装是芯片量产之前的重要一环，简单来说，完成设计与制造后，IC芯片需要安上一个更大尺寸的外壳，将其放置在电路板上，这就是封装。相比流片与制造，封装技术难度更低，因此中国企业已经占据一定的市场份额。目前长电科技的最大单一股东为中芯国际。
这不是第一次矿机厂商与本土芯片制造商产生纠纷。年12月，亿邦香港子公司香港比特有限公司在香港高等法院起诉芯原微电子（上海）股份有限公司全资子公司——芯原（香港）有限公司，称被告向原告提供的片10nm三星晶圆存在质量缺陷，导致原告受损金额约万美元，约合1.75亿人民币。
""暗雷""是否影响刚刚激发的半导体行情?
中信建股研究报告认为：半导体设备国产突破正加速，晶圆线新建及产业转移带来机遇
投资要点
景气度短期周期上行暂缓，中长期行业增量及国产替代趋势确定
站在年当下展望，疫情虽影响部分下游终端出货节奏及需求，但5G商业化正在开启，5G换机和创新周期长线趋势确定，终端侧和功能端迎来需求增量，核心半导体元件量价提升逻辑清晰。短期看，19年半导体景气度底部向上，20年贸易环境和行业供需的不确定性虽有影响，但也只是暂缓周期上行，且长维度的半导体产业链国产替代正加速兑现。本土设计、制造、封测、存储等环节不断突破，部分领域已追赶至国际水平。设备和材料作为半导体产业链上游核心，在重视和扶持下将加速本土配套。
半导体设备年需求千亿，本土设备商受益于晶圆新建和份额提升
年全球半导体设备市场约亿美金，大陆约亿美金，占比22.4%，但泛半导体设备国产率约16%，IC设备仅为5%，全球Top5设备厂商份额约80%集中度较高。设备投资中晶圆制造约占80%，封装约占6%，测试约占9%。未来三年大陆将新建多条晶圆线，年均设备需求在千亿元，国内半导体设备企业不断突破呈现营收高速增长趋势，在国内产线的份额不断提升，未来有望持续受益于本土配套机会。本土企业在特色工艺具备竞争力，存储投资力度大规划明确，先进/成熟制程逐渐进步，晶圆产能新建给本土设备企业带来配套机会。目前国内设备商28nm产线批量供应，14nm逐步验证，看好国产设备在28nm及以上产线机会。我们认为半导体设备国产化容易程度：（1）产品上，功率器件数字模拟器件逻辑芯片；（2）制程上，特色工艺成熟制程（28nm及以上）先进制程；（3）尺寸上，4-6寸8寸12寸。
刻蚀/镀膜/清洗设备国产化较好，光刻/离子注入/量测等有差距
从技术水平看，刻蚀/镀膜/清洗/CMP/热处理等设备的国产化水平相对较高，在华力微、华虹等先进的28/14nm晶圆代工产线和长江存储3DNAND等存储产线批量应用，份额逐年提升，基本上超过15%；而光刻、涂胶显影、离子注入、量测设备、测试分选等环节相较国际水平有一定差距，但也有份额突破，不超过5%。国产光刻机目前最高到90nm节点，在功率等特色工艺线有所突破；离子注入在光伏及45-22nm低能大束流方面取得突破；量测设备主要集中在膜厚等关键尺寸测量上。而其他封测设备如探针台、测试机、分选机等在数字芯片等先进应用上仍有差距。
半导体设备国产突破正加速，迎来中长期投资机会
大陆半导体进口替代正加速，设备环节迎来长期投资机会，建议
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